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充電樁mosfet,1000v場效應管,KNF45100A參數引腳圖-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2025-05-29 

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充電樁mosfet,1000v場效應管,KNF45100A參數引腳圖-KIA MOS管


1000v場效應管,KNF45100A參數引腳圖

KNF45100A場效應管漏源擊穿電壓1000V,漏極電流6A,極低導通電阻RDS(開啟) 2.0mΩ,最大限度地減少導電損耗;低電荷最小化開關損耗,低反向傳輸電容,開關速度快,高效低耗;快速恢復體二極管、符合RoHS、高堅固性,穩定可靠;適用于備用電源,充電樁、適配器等多種應用;封裝形式:TO-220F,散熱良好,結構堅固。

1000v場效應管,KNF45100A

1000v場效應管,KNF45100A參數

漏源電壓:1000V

漏極電流:6A

柵源電壓:±30V

脈沖漏電流:24A

單脈沖雪崩能量:500MJ

總功耗:65W

閾值電壓:3-5V

總柵極電荷:35nC

輸入電容:1600PF

輸出電容:130PF

反向傳輸電容:20PF

開通延遲時間:22nS

關斷延遲時間:45nS

上升時間:45ns

下降時間:50ns

1000v場效應管,KNF45100A規格書

1000v場效應管,KNF45100A

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