8104mos管,30a40vmos管,KNG8104A場效應管參數資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-05-13
KNG8104A場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流30A，極低導通電阻RDS(開啟) 12mΩ，最大限度地減少導電損耗；低電流、低功耗、開關速度快，高效低耗；100%經雪崩測試、提高dv/dt能力，穩定可靠，環保無鉛；廣泛應用于PWM應用、電源管理、負載開關等；封裝形式：DFN3*3。
漏源電壓：40V
漏極電流：-30A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：120A
單脈沖雪崩能量：25MJ
功率耗散：96W
閾值電壓：1.5V
總柵極電荷：18nC
輸入電容：850PF
輸出電容：70PF
反向傳輸電容：62PF
開通延遲時間：4nS
關斷延遲時間：30nS
上升時間：8ns
下降時間：10ns
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