負載開關電路,MOSFET負載開關,電路原理圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-04-24
如圖所示，負載接在電源與漏極之間。在其柵極上加一個邏輯高電平，則N-MOSFET導通，負載得電；在其柵極加一個邏輯低電平，則N-MOSFET關斷，負載失電。
可以看出，負載開關接是在電源與負載之間，用邏輯電平來控制通、斷，使負載得電或失電的功率器件。由于開關在負載的下邊，一般稱為低端負載開關。
如果負載是一個要求接地的電路（如功率放大電路、發射電路或接收電路等），則低端負載開關不能用，要采用高端負載開關。
高端負載開關主要由P溝道MOSFET組成，如圖所示。
圖(a)是由一個P-MOSFET與一個反相器組成的，圖(b)是由一個P-MOSFET與一個N-MOSFET組成的。開關在負載的上面，稱高端負載開關。
負載開關電路是主要用來控制后級負載的電源開關。可以直接用IC也可以用分立器件搭建，分立器件主要用PMOS加三極管實現。
電路分析如下圖所示：
R5模擬后級負載，Q1為開關，當R3端口的激勵源為高電平時，Q2飽和導通，MOS管QQ1的VGS<VGSth導通，R5負載上電，關斷時負載下電。電路中R3為三極管Q2的限流電阻，R4為偏置電阻，R1R2為Q1的柵極分壓電阻，C1C2為輸出濾波電容。
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