負載開關(guān)mos開關(guān),40v130a場效應管,KNB2904A參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-04-23
KNB2904A場效應管參數(shù)性能優(yōu)越，具有優(yōu)異的RDSON和柵極電荷；漏源擊穿電壓40V，漏極電流130A，極低導通電阻RDS(開啟) 2.5mΩ（典型值）@VGS=10V，減小損耗、提高效率；低跨導、快速切換，高效低耗；100%雪崩測試以及改進的dv/dt能力，穩(wěn)定可靠，適用于PWM應用、負載開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域，封裝形式：TO-263，散熱良好。
漏源電壓：40V
漏極電流：130A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：400A
雪崩能量單脈沖：250MJ
總功耗：328W
閾值電壓：1.5V
總柵極電荷：135nC
輸入電容：6260PF
輸出電容：570PF
反向傳輸電容：580PF
開通延遲時間：18nS
關(guān)斷延遲時間：50nS
上升時間：20ns
下降時間：16ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號
關(guān)注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>