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逆變mos管,60v80amos管,KCD3406A場效應管參數-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2025-03-12 

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逆變mos管,60v80amos管,KCD3406A場效應管參數-KIA MOS管


逆變mos管,60v80a,KCD3406A參數資料

逆變器專用mos管KCD3406A漏源擊穿電壓60V,漏極電流為80A,采用先進的LVMOS工藝技術生產,SGT MOSFET通過結構改進提升性能,在降低導通電阻和開關損耗方面表現出色,最大限度地降低導通電阻,RDS(開啟) =8.5mΩ;具有低柵電荷、低反饋電容、開關速度快、改進的dvdt功能,高效穩定;廣泛應用于二次同步整流、逆變器電源管理,封裝形式:TO-252。

80a60v,KCY3406A場效應管

逆變mos管,60v80a,KCD3406A參數

漏源電壓:60V

漏極電流:80A

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:240A

雪崩能量單脈沖:81MJ

總功耗:63W

閾值電壓:2.0V

總柵極電荷:16.8nC

輸入電容:1065PF

輸出電容:430PF

反向傳輸電容:22PF

開通延遲時間:8nS

關斷延遲時間:19nS

上升時間:54ns

下降時間:8.8ns

逆變mos管,60v80a,KCD3406A規格書

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