MOS管反向擊穿電壓,二極管反向電壓抑制-KIA MOS管

MOS管反向擊穿電壓

MOS管在反向工作狀態(tài)下源極與漏極之間的電壓達(dá)到一定的閾值時(shí),MOS管將無法承受,會(huì)發(fā)生擊穿現(xiàn)象。

齊納擊穿：

當(dāng)PN結(jié)反向偏置時(shí)，電場導(dǎo)致耗盡層內(nèi)的電子從價(jià)帶隧穿到導(dǎo)帶，導(dǎo)致反向電流突然增加。齊納擊穿通常發(fā)生在摻雜濃度較高的二極管中，擊穿電壓約為6V以下。

雪崩擊穿：

當(dāng)反向電壓過大時(shí)，電子在耗盡層中被電場加速，與晶格原子碰撞產(chǎn)生更多的電子-空穴對(duì)，導(dǎo)致電流急劇增加。雪崩擊穿通常發(fā)生在摻雜濃度較低的二極管中，擊穿電壓大于6V。

影響MOS管反向擊穿電壓的因素包括材料特性、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和溫度。材料的摻雜濃度和禁帶寬度會(huì)影響擊穿電壓，摻雜濃度越高，擊穿電壓越低；溫度升高會(huì)導(dǎo)致禁帶寬度減小，從而增加齊納擊穿的可能性。

MOS管,二極管反向電壓

二極管反向電壓抑制方法

選擇合適的MOS管：在挑選MOS管時(shí)，別忘了查看其反向漏電流和反向擊穿電壓。反向漏電流越小，反向擊穿電壓越高，那么二極管反向電壓就越小。選擇時(shí)，務(wù)必關(guān)注這兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。

添加反向并聯(lián)二極管：在MOS管的源極和漏極之間，加入一個(gè)反向并聯(lián)二極管，可以巧妙地抑制二極管反向電壓。當(dāng)漏極電壓為負(fù)值時(shí)，這個(gè)二極管會(huì)導(dǎo)通，從而將漏極電壓限制在反向擊穿電壓以下，保護(hù)MOS管免受損害。

使用反向并聯(lián)二極管芯片：為了簡化操作，許多廠家推出了專門用于抑制MOS管二極管反向電壓的芯片。這些芯片內(nèi)部集成了反向并聯(lián)二極管，可以直接連接到MOS管的源極和漏極之間，方便快捷。

利用反向并聯(lián)二極管模塊：除了芯片，還有模塊化的反向并聯(lián)二極管。這些模塊內(nèi)部集成了多個(gè)反向并聯(lián)二極管，可以同時(shí)連接多個(gè)MOS管，起到抑制二極管反向電壓的作用。它們通常具有較高的反向擊穿電壓和較小的反向漏電流，是保護(hù)MOS管的得力助手。

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