pmos電流方向,pmos工作區(qū)分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-02-20
PMOS的電流方向是從源極（S）流向漏極（D），因?yàn)镻MOS的溝道由空穴（帶正電）形成，當(dāng)柵極（G）相對于源極（S）為負(fù)電壓時(shí)，會(huì)吸引溝道中的空穴向漏極（D)移動(dòng)，從而形成從D到S的電流。
D極（漏極）
作用：漏極是PMOS中的電流流出端。
工作原理：當(dāng)PMOS工作時(shí)，電流從S極（源極）流向D極（漏極），由于PMOS以空穴為主要載流子，電流的實(shí)際方向與電子流動(dòng)方向相反。漏極通常接較低的電位（例如接地或負(fù)電源），使得電流可以從源極流向漏極。
S極（源極）
作用：源極是PMOS中的電流流入端。
工作原理：源極通常接較高的電位（如正電源），它提供空穴給溝道。PMOS的開關(guān)狀態(tài)主要取決于源極與柵極之間的電壓關(guān)系。當(dāng)源極電位比柵極電位高時(shí)，PMOS導(dǎo)通；當(dāng)源極電位與柵極電位差距不夠時(shí)，PMOS關(guān)斷。
G極（柵極）
作用：柵極控制PMOS的開關(guān)狀態(tài)。
工作原理：柵極控制溝道的形成。
柵極電壓相對于源極電壓的變化會(huì)影響PMOS是否導(dǎo)通：
導(dǎo)通狀態(tài)：當(dāng)柵極電壓低于源極電壓時(shí)（一般小于一個(gè)閾值電壓Vth），PMOS導(dǎo)通，此時(shí)空穴在源極和漏極之間形成溝道，電流能夠流過。
關(guān)斷狀態(tài)：當(dāng)柵極電壓高于源極電壓（或等于源極電壓），溝道關(guān)閉，PMOS處于關(guān)斷狀態(tài)，不導(dǎo)通。
1.截止區(qū)(Cutoff Region)：Vgs>Vth,PMOS關(guān)斷,沒有導(dǎo)電溝道,Id=0。
2.線性區(qū)(Triode Region)：Vgs<Vth 且Vds<Vgs-Vth,PMOS導(dǎo)通,Id ∝ Vds。
3.飽和區(qū)(Saturation Region)：Vgs<Vth 且Vds>Vgs-Vth,PMOS導(dǎo)通,Id主要受Vgs控制,與Vds無關(guān)。
如何對NMOS和PMOS的工作區(qū)域進(jìn)行判斷？
方法一，就是分別進(jìn)行討論，注意PMOS中的值都是負(fù)數(shù)：
方法二，利用絕對值進(jìn)行判斷：
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