80a80vmos管,3308參數(shù)引腳圖,KND3308A場效應管-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-02-13
KND3308A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，極低的導通電阻RDS(開啟) 6.2mΩ，最大限度地減少導電損耗；具有高雪崩電流，能夠在額定工作條件下穩(wěn)定運行，確保電路的安全可靠性；采用無鉛和綠色設計，符合環(huán)保要求，廣泛應用在電動車控制器、逆變器、BMS保護板、儲能電源中，高效低耗；封裝形式：TO-252，體積小、散熱良好。
漏源電壓：80V
漏極電流：80A
柵源電壓：±25V
脈沖漏電流：340A
雪崩能量單脈沖：529MJ
總功耗：120W
閾值電壓：3.0V
總柵極電荷：76nC
輸入電容：3110PF
輸出電容：445PF
開通延遲時間：20.4nS
關斷延遲時間：63nS
上升時間：67ns
下降時間：43ns
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