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7a100v mos,SOT-89,5610場效應管,?KNS5610A參數資料-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2025-01-16 

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7a100v mos,SOT-89,5610場效應管,KNS5610A參數資料-KIA MOS管


7a100v mos,KNS5610A參數引腳圖

KNS5610A場效應管漏極電流7A,漏源擊穿電壓100V,采用高單元密度的先進溝槽技術,具有優異的導通特性,RDS(ON)=98mΩ,低柵極電荷,減小開關損耗;出色的Cdv/dt效應設計,穩定可靠,符合RoHS和綠色產品要求;適用于通信設備、變換器、DC-DC、負載開關等,封裝形式:SOT-89。

7a100v mos,KNS5610A參數

KNS5610A 場效應管參數表

漏源電壓 (V<sub>DS</sub>)        100V一一最大耐受電壓

連續漏極電流 (I<sub>D</sub>)        7A @25℃一一需降額使用于高溫環境

導通電阻 (R<sub>DS(on)</sub>)        0.18Ω @V<sub>GS</sub>=10V一一關鍵性能指標,影響發熱量

閾值電壓 (V<sub>GS(th)</sub>)        2.5-3.5V一一驅動電壓范圍

封裝形式        SOT-89一一尺寸約4.5×4.1×1.5mm

工作溫度        -55℃ ~ +150℃一一工業級標準

核心應用領域

消費電子

手機/平板快充電路(用于同步整流)

藍牙音箱功率開關

工業控制

PLC模塊I/O端口驅動

小型電機H橋驅動(如3D打印機步進電機)

新能源領域

太陽能MPPT控制器功率調節

低速電動車BMS系統

合作客戶類型參考

電源模塊廠商        30W PD快充方案        50-100萬片/年

工控設備商        自動化儀表IO板卡        20-30萬片/年

LED驅動廠商        智能調光電源        10-15萬片/年

工程應用注意事項

PCB布局要點:

源極引腳需大面積覆銅散熱

Gate驅動電阻建議10-22Ω

失效模式預防:

避免V<sub>GS</sub>超過±20V

并聯使用需匹配V<sub>GS(th)</sub>差異


7a100v mos,KNS5610A參數

漏源電壓:100V

漏極電流:7A

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:14A

最大功耗:22.7W

閾值電壓:1.85V

輸入電容:1535PF

輸出電容:60PF

反向傳輸電容:37PF

總柵極電荷:26.2nC

開通延遲時間:4.2nS

關斷延遲時間:35.6nS

上升時間:8.2ns

下降時間:9.6ns

7a100v mos,KNS5610A規格書

7a100v mos,KNS5610A參數

7a100v mos,KNS5610A參數


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