KIA3510AD參數,?dcdcmos管,100v mos管,75a場效應管現貨-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-01-10
KIA3510AD場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，RDS（ON）值為9mΩ，低導通電阻、低柵極電荷，最大限度地減少導通損耗，性能高效低耗；100%雪崩測試，穩定可靠；提供無鉛和綠色設備（符合RoHS標準）；廣泛應用于控制板、DCDC轉換器、電機驅動板等，封裝形式：TO-252，安裝方便，體積小，散熱良好。
漏源電壓：75V
漏極電流：100A
柵源電壓：±25V
脈沖漏電流：219A
雪崩能量單脈沖：225MJ
功率耗散：166W
閾值電壓：3.0V
總柵極電荷：60nC
輸入電容：2946PF
輸出電容：339PF
反向傳輸電容：179PF
開通延遲時間：15nS
關斷延遲時間：51nS
上升時間：108ns
下降時間：59ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
