模電mos管,1200v3a,KND42120A場效應(yīng)管參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-11-13
KND42120A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓1200V，漏極電流3A，具備高壓和低導(dǎo)通電阻特性，提高系統(tǒng)效率；低導(dǎo)通電阻RDS(ON) 7Ω、低柵極電荷(17.5nC)最小化開關(guān)損耗；以及高速的響應(yīng)能力提高切換速度，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，快速恢復(fù)體二極管，確保性能穩(wěn)定可靠，適用于適配器、充電器和SMPS備用電源等領(lǐng)域；封裝形式：TO-252。
漏源電壓：1200V
漏極電流：3A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：12A
雪崩能量單脈沖：100MJ
最大功耗：75W
輸入電容：860PF
輸出電容：60PF
開通延遲時間：17nS
關(guān)斷延遲時間：23nS
上升時間：6ns
下降時間：11ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號
關(guān)注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責(zé)聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
