模電mos管,1200v3a,KND42120A場效應管參數引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-11-13
KND42120A場效應管漏源擊穿電壓1200V，漏極電流3A，具備高壓和低導通電阻特性，提高系統效率；低導通電阻RDS(ON) 7Ω、低柵極電荷(17.5nC)最小化開關損耗；以及高速的響應能力提高切換速度，符合RoHS標準，快速恢復體二極管，確保性能穩定可靠，適用于適配器、充電器和SMPS備用電源等領域；封裝形式：TO-252。
漏源電壓：1200V
漏極電流：3A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：12A
雪崩能量單脈沖：100MJ
最大功耗：75W
輸入電容：860PF
輸出電容：60PF
開通延遲時間：17nS
關斷延遲時間：23nS
上升時間：6ns
下降時間：11ns
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