40n20參數,充電器專用mos管,KIA40N20AP場效應管現貨-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-11-12
無線充電器專用MOS管KIA40N20AP漏源擊穿電壓200V，漏極電流40A，低導通電阻RDS(ON) =0.08Ω、低柵極電荷（典型值50nC），最小化開關損耗；具有快速切換能力、符合RoHS標準，穩定可靠，40n20場效應管高效率低損耗，適用于DC-DC轉換器、UPS、DC-AC轉換器以及逆變電路、安防、拉桿音箱、無線充電器等領域。封裝形式：TO-220。
漏源電壓：200V
漏極電流：40A
漏源通態電阻：0.08Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：120A
單脈沖雪崩能量：800MJ
功率耗散：175W
總柵極電荷：50nC
輸入電容：1560PF
輸出電容：370PF
開通延遲時間：26nS
關斷延遲時間：141nS
上升時間：32ns
下降時間：83ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
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