儲能電源mos管,650v場效應管,KIA12N65H參數引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-10-31
KIA12N65H場效應管漏源電壓650V，漏極電流12A，導通電阻RDS（ON）0.63Ω，高效低耗；低柵極電荷（典型值52nC），最小化開關損耗，快速切換能力在電路中能夠迅速響應信號變化，確保信號傳輸的準確性、雪崩能量規定和改進的dv/dt能力增強了穩定性及安全性；專為高壓、高速功率開關應用而設計，如高效開關電源、有源功率因數校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮流器；封裝形式：TO-220F。
漏源電壓：650V
漏極電流：12A
漏源通態電阻：0.63Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：48A
雪崩能量：865mJ
耗散功率：54W
總柵極電荷：52nC
輸入電容：1850 PF
輸出電容：180 PF
開通延遲時間：30nS
關斷延遲時間：140nS
上升時間：90ns
下降時間：90ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>