單片機驅(qū)動mos管電路原理,電路圖分享-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-10-16
單片機如何驅(qū)動MOS管？
常用的單片機一般分為5V單片機與3V單片機，單片機的IO口輸出的高電平電壓最高是可以接近電源電壓的，但會比電源電壓小一些。由于三極管是電流驅(qū)動型的元件，所以不需要太高的驅(qū)動電壓就可以飽和導通，而對于MOS管來講，根據(jù)不同型號參數(shù)的，導通電壓會有差別，單片機IO能夠輸出的電壓，對于大部分的MOS管來講是達不到其導通條件的。
所以在單片機驅(qū)動MOS的電路中，通常會采用三極管作為前級驅(qū)動，由電源電壓驅(qū)動MOS管開啟，有些開啟電壓較高的MOS管，還會提高驅(qū)動電壓，而不使用單片機的5V供電，比如12V、15V等等。
所以單片機不能直接驅(qū)動MOS管的主要原因是驅(qū)動能力的問題，單片機的IO輸出的電壓達不到MOS管的導通條件，或者達不到飽和導通的條件。
單片機驅(qū)動MOS管的電路原理主要是通過三極管作為中間級，來提高驅(qū)動能力和確保MOS管正常工作。單片機I/O口的電壓通常較低，而MOS管需要較高的驅(qū)動電壓才能達到飽和狀態(tài)，因此直接驅(qū)動可能會導致MOS管不完全導通，內(nèi)阻增大，從而產(chǎn)生過熱問題。通過三極管作為中間級，可以有效提高驅(qū)動電壓，確保MOS管正常工作。
單片機I/O口驅(qū)動MOS管的電路設計包括：
三極管驅(qū)動部分：單片機I/O口輸出的低電平或高電平信號通過限流電阻連接到三極管的基極，三極管放大電流后驅(qū)動MOS管的柵極，從而控制MOS管的開關。
MOS管部分：MOS管的柵極通過三極管放大后的電流驅(qū)動，確保MOS管達到飽和狀態(tài)，從而控制其源極和漏極之間的導通與關閉。
單片機驅(qū)動mos管電路主要根據(jù)MOS管要驅(qū)動什么，繼電器之類的小負載的話直接用51的引腳驅(qū)動就可以，要注意電感類負載要加保護二極管和吸收緩沖，最好用N溝道的MOS。
如果驅(qū)動的東西（功率）很大，最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等，此時既要隔離傳送控制信號（例如PWM信號），也要給驅(qū)動級（MOS管的推動電路）傳送電能。
圖：適合開關頻率不高的場合，一般低于2KHz。
其中R1=10K，R2、R3大小由V+決定，V+越高，R2、R3越大，以保證電阻及三極管功耗在允許范圍，同時保證R2和R3的分壓VPP=V+ 減10V，同時V+不能大于40V。
圖：適合高頻大功率場合，到達100KHz沒問題，同時可以并聯(lián)多個MOSFET-P管
R2、R3需要滿足和圖1一樣的條件，其實就是圖1加了級推挽，這樣就可以保證MOSFET管高速開關，上面6P小電容是發(fā)射結(jié)結(jié)電容補償電容，可以改善三極管高速開關特性。
另外：MOSFET的柵極電容較大，在使用的時候應該把它當成一個容抗負載來看。
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