三極管驅動mos管,三極管和MOS管驅動-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-10-15
可以用三極管直接驅動MOS嗎？回答是：可以直接驅動。由于MOS場效應管是一種電壓驅動器件，要想使其充分導通，要求其柵極驅動電壓的幅度要足夠大，而一些低壓IC電路（譬如3.3V供電的單片機電路）輸出幅度較小，直接用來驅動MOS場效應管，根本無法使管子完全導通。為解決此問題，常加一級雙極型三極管驅動電路來驅動MOS場效應管，電路如圖所示。
VT1為NPN型三極管，其基極輸入信號的幅度只有5V，而MOS場效應管VT2的開啟電壓較高，要想使其充分導通，其柵極驅動電壓一般要求≥10V。為了能驅動MOS場效應管導通，電路中加了一級三極管電路，當VT1基極為5V高電平時，VT1導通，VT2截止;當VT1基極為低電平0V時，VT1截止，其集電極的10V電壓(Rc上的壓降幾乎為零，可以忽略不計)直接加至VT2的G極(即柵極)，這樣便可以使VT2獲得足夠的柵極電壓而導通。
在用三極管驅動MOS場效應管時，需要注意MOS場效應管柵極所接電阻（即上圖中的Rc）的取值。
受限于MOS管的驅動閾值，在許多的應用場景中無法直接使用MCU或者SOC的GPIO電平驅動MOS的導通與關斷，此時需要在MOS的G極處增加一個柵極驅動電路，實現GPIO電平可以驅動MOS。
如圖演示了PMOS的自驅效應，當PMOS的G極連接S極時，VGS=0V，PMOS便會自開啟，那么如果在PMOS的G極與GND之間增加一道SW開關，那么就可以實現G極電位在GND和Vin之間切換，那么就可以通過SW來控制PMOS的開啟與關閉。
將圖1中的SW開關更換為三極管BJT，如圖2 ，那么就是一個典型的BJT驅動高邊PMOS的電路，其中C1，C2，Zener非必要。C1用做加速BJT打開，C2用做BJT快速關斷，Zener用做VGS鉗位，避免瞬時電壓超過MOS的VGSmax耐壓從而損壞MOS。
R1和R2在一條路徑上可以調節分壓，也即調整G極電位，Q2關斷時，VG=VS，VGS=VG-VS=0V，Q1導通時，VG=Vin×{R2/(R1+R2)}，VS=Vin，那么VGS=Vin×{R2/(R1+R2)}-Vin。當R1很大，R2很小，VGS≈Vin，此時如果VGS接近或超過Q1的GS耐壓值VGSS，會損壞PMOS，那么這時就可以調整R1，R2的比例，將導通時VGS值調整至-VGSS＜VGS＜VGSTHmin。
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