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?10n65場效應管參數,KIA10N65H參數引腳圖,中文資料-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-09-04 

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10n65場效應管參數,KIA10N65H參數引腳圖,中文資料-KIA MOS管


10n65場效應管參數,KIA10N65H引腳圖

KIA10N65H場效應管漏源擊穿電壓650V,漏極電流10A,RDS(on)=0.65Ω @ VGS=10V,低導通電阻,低柵極電荷(典型48nC),有效降低開關損耗,提升效率;具有快速交換功能、指定的雪崩能量以及改進的DV/DT功能,穩定可靠,提高開關響應速度,可以替代10n65型號應用在高壓、高速功率開關應用中,如高效開關電源、LED驅動、儲能電源;封裝形式:TO-220F。

10n65場效應管參數,KIA10N65H

10n65場效應管參數,KIA10N65H參數

漏源電壓:650V

漏極電流:10A

漏源通態電阻:0.65Ω

柵源電壓:±30V

脈沖漏電流:40A

雪崩能量單脈沖:709MJ

功率耗散:52W

總柵極電荷:48nC

輸入電容:1650PF

輸出電容:1665PF

開通延遲時間:25nS

關斷延遲時間:140nS

上升時間:70ns

下降時間:80ns


10n65場效應管參數,KIA10N65H規格書

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