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4n65場效應管參數,4n65f參數及代換,KIA4N65H資料-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-08-28 

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4n65場效應管參數,KIA4N65H參數引腳圖

KIA4N65H場效應管漏極電流4A,漏源擊穿電壓為650V,RDS(開)=2.5Ω @ VGS=10V,最大限度減少導通電阻;低柵極電荷,典型值為16nC,高堅固性、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力、在雪崩和換向模式下承受高能脈沖,能夠確保穩定性和可靠性,帶來高效率和快速響應,減少電路中的噪音和干擾。KIA4N65H可以替代4n65型號應用在高效開關電源、開關電源、LED驅動中封裝形式:TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F。

4n65場效應管參數,KIA4N65H

4n65場效應管參數,KIA4N65H參數

漏源電壓:650V

漏極電流:4A

漏源通態電阻:2.5Ω

柵源電壓:±30V

脈沖漏電流:12A

雪崩能量單脈沖:180MJ

功率耗散:58W

總柵極電荷:16nC

輸入電容:560PF

輸出電容:55PF

開通延遲時間:10nS

關斷延遲時間:40nS

上升時間:40ns

下降時間:50ns


4n65場效應管參數,KIA4N65H參數規格書

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