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8n60場效應管參數代換,KIA8N60H參數引腳圖,中文資料-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-08-23 

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8n60場效應管,KIA8N60H參數引腳圖

KIA8N60H場效應管漏源擊穿電壓600V,漏極電流7.5A,RDS(開)值僅為0.98Ω,具有良好的導通性能;超低柵極電荷僅為29nC,展現快速切換能力;具有快速開關時間、改進的dv/dt能力、高雪崩特性,高效穩定。KIA8N60H可以替代8N60型號在電源、LED驅動、PWM電機控制、高效DC-DC轉換器和橋接電路中的高速開關應用,封裝形式: TO-220、220F。

8n60場效應管,KIA8N60H參數

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漏源電壓:600V

漏極電流:7.5A

漏源通態電阻(RDS(on)):0.98Ω

柵源電壓:±30V

脈沖漏電流:30A

最大功耗:147/48W

輸入電容:1000PF

輸出電容:110PF

反向傳輸電容:12PF

開通延遲時間:20nS

關斷延遲時間:80nS

上升時間:50ns

下降時間:70ns


8n60場效應管,KIA8N60H參數規格書

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