逆變器mos管,KIA6720N可代換?IRF640參數,中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-08-12
KIA6720N場效應管漏源擊穿電壓200V，漏極電流18A，RDS（ON）=0.12Ω@VGS=10V；低導通電阻、低柵極電荷使開關損耗最小化，符合RoHS，峰值電流與脈沖寬度曲線，高效穩定，廣泛應用于逆變器、CRT、電視/監視器等領域。KIA6720N可以代換IRF640場效應管使用，封裝形式：TO-220。
漏源電壓：200V
柵源電壓：±20A
漏電流連續：18A
脈沖漏極電流：72A
雪崩能量：1000mJ
耗散功率：156W
熱電阻：62℃/V
漏源擊穿電壓：200V
柵極閾值電壓：2V
輸入電容：1256PF
輸出電容：158PF
上升時間：33ns
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>