mbr20150參數(shù)代換,20A 150V場效應(yīng)管,KIA7115A中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-08-08
KIA7115A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓150V，漏極電流20A，RDS（開啟）=77mΩ@VGS=10V，超低柵極電荷，降低開關(guān)損耗，可為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供出色的RDS和柵極電荷，出色的Cdv/dt效應(yīng)下降、綠色設(shè)備可用，符合RoHs，100%EAS保證，穩(wěn)定可靠，封裝形式：TO-252、251，散熱良好。
漏源電壓：150V
漏極電流：20A
漏源通態(tài)電阻：77mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：40A
雪崩能量單脈沖：53MJ
功率耗散：72.6W
總柵極電荷：25.1nC
輸入電容：2285PF
輸出電容：110PF
開通延遲時(shí)間：13nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：25nS
上升時(shí)間：8.2ns
下降時(shí)間：11ns
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