p75nf75場效應(yīng)管參數(shù)代換,KNX3308A參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-07-29
KNX3308A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，低rds開啟，RDS（ON）值為6.2mΩ，以減少導(dǎo)電損耗，具有高雪崩電流，能夠在額定工作條件下穩(wěn)定運(yùn)行，確保電路的安全可靠性；采用無鉛和綠色設(shè)計，符合環(huán)保要求，能夠替代HY1906、SRP75NF75、FH80N08場效應(yīng)管在電動車控制器、逆變器、BMS保護(hù)板、儲能電源等領(lǐng)域應(yīng)用，封裝形式：TO-220及多種選擇。
漏源電壓：80V
漏極電流：80A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：6.2mΩ
柵源電壓：±25V
脈沖漏電流：340A
雪崩能量單脈沖：529MJ
總功耗：240W
總柵極電荷：76nC
輸入電容：3110PF
輸出電容：445PF
開通延遲時間：20.4nS
關(guān)斷延遲時間：63nS
上升時間：67ns
下降時間：43ns
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務(wù)大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
