p75nf75場效應管參數代換,KNX3308A參數引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-07-29
KNX3308A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，低rds開啟，RDS（ON）值為6.2mΩ，以減少導電損耗，具有高雪崩電流，能夠在額定工作條件下穩定運行，確保電路的安全可靠性；采用無鉛和綠色設計，符合環保要求，能夠替代HY1906、SRP75NF75、FH80N08場效應管在電動車控制器、逆變器、BMS保護板、儲能電源等領域應用，封裝形式：TO-220及多種選擇。
漏源電壓：80V
漏極電流：80A
漏源通態電阻(RDS(on))：6.2mΩ
柵源電壓：±25V
脈沖漏電流：340A
雪崩能量單脈沖：529MJ
總功耗：240W
總柵極電荷：76nC
輸入電容：3110PF
輸出電容：445PF
開通延遲時間：20.4nS
關斷延遲時間：63nS
上升時間：67ns
下降時間：43ns
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