判斷mos管的工作狀態(tài)方法分享-KIA MOS管

判斷mos管的工作狀態(tài)

萬用表測(cè)試：

通過調(diào)整萬用表至二極管測(cè)試檔，測(cè)量MOS管的體二極管的正向和反向偏置電壓，可以判斷MOS管是否正常工作。對(duì)于NMOS管，將紅表筆接源極(S)，黑表筆接漏極(D)，測(cè)量正向偏置電壓;然后交換表筆位置，測(cè)量反向偏置電壓。對(duì)于PMOS管，表筆連接方式與NMOS管相反。觀察萬用表顯示的電壓值，并與MOS管的數(shù)據(jù)表進(jìn)行比較，從而判斷其工作狀態(tài)。

電阻測(cè)試：

當(dāng)MOS管的柵極沒有觸發(fā)脈沖時(shí)，漏源電阻應(yīng)該很高。通過測(cè)量漏源之間的電阻，可以判斷MOS管是否有故障。將萬用表調(diào)至歐姆檔，將表筆分別接在MOS管的漏極(D)和源極(S)上，觀察萬用表顯示的電阻值，并與MOS管的數(shù)據(jù)表進(jìn)行比較，若電阻值遠(yuǎn)大于數(shù)據(jù)表中的典型值，則可能存在故障。

連續(xù)性測(cè)試和蜂鳴器輔助測(cè)試：

使用數(shù)字萬用表的連續(xù)性模式，通過聽取蜂鳴器的聲音來判斷MOS管的連通性。將萬用表調(diào)至連續(xù)性測(cè)試檔，將表筆分別接在MOS管的漏極(D)和源極(S)上。若蜂鳴器響起，則表明MOS管存在故障;若蜂鳴器保持靜音，則MOS管狀態(tài)良好。

組裝測(cè)試電路：

通過搭建簡(jiǎn)單的測(cè)試電路來評(píng)估MOS管的工作狀態(tài)。這種方法更直接地反映了MOS管在實(shí)際電路中的應(yīng)用情況。

mos管的三個(gè)工作狀態(tài)

截止?fàn)顟B(tài)：當(dāng)VGS（柵源電壓）小于VGS(TH)（閾值電壓）時(shí)，MOS管處于截止?fàn)顟B(tài)。此時(shí)，漏極電流ID很小，相當(dāng)于管子不導(dǎo)通。

線性區(qū)（也稱三極管區(qū)或放大區(qū)）：當(dāng)VGS大于VGS(TH)，且VDS（漏源電壓）小于VGS-VGS(TH)時(shí)，MOS管導(dǎo)通，且工作在線性區(qū)。此時(shí)，MOS管可以等效為線性電阻，漏極電流ID隨著VDS的增大而線性增大。

飽和區(qū)：當(dāng)VGS大于VGS(TH)，且VDS大于VGS-VGS(TH)時(shí)，MOS管導(dǎo)通，且工作在飽和區(qū)。此時(shí)，MOS管可以等效為電壓控制的電流源，漏極電流ID幾乎不隨VDS的變化而變化，達(dá)到最大值。

需要注意的是，以上三種狀態(tài)是基于NMOS管的描述，對(duì)于PMOS管，電壓和電流的方向會(huì)相反。同時(shí)，不同類型的MOS管（如增強(qiáng)型或耗盡型）也可能有不同的工作狀態(tài)和特性。

此外，還有放大狀態(tài)、飽和狀態(tài)和截止?fàn)顟B(tài)等術(shù)語，但在描述MOS管的工作狀態(tài)時(shí)，更常用的術(shù)語是線性區(qū)、飽和區(qū)和截止區(qū)。這些術(shù)語更準(zhǔn)確地描述了MOS管在不同電壓條件下的工作狀態(tài)和特性。

1、放大狀態(tài)：

當(dāng)輸入信號(hào)電壓為高電平時(shí)，mos管的集電極電位由低向高變化，這時(shí)集電極電流i2增大。

2、飽和狀態(tài)：

當(dāng)輸入信號(hào)電壓為零時(shí)，mos管處于截止?fàn)顟B(tài)；此時(shí)集電極電流很小。

3、截止?fàn)顟B(tài)：

當(dāng)輸入的負(fù)偏置信號(hào)（例如地）加到mos管的基極上時(shí)，使管子導(dǎo)通而工作于截止區(qū)。在這種情況下輸出端沒有電流通過。

mos管的工作原理

當(dāng)給定的正反饋條件滿足后，若將控制電路中的控制電壓加在柵源之間以形成負(fù)反饋回路，則可使晶體管導(dǎo)通而達(dá)到放大目的；反之亦然。

mos管的三個(gè)工作狀態(tài)怎么判斷？

工作區(qū)域的判定方法（NMOS）：

當(dāng) Vgs < Vth 時(shí)，截止區(qū)。

當(dāng) Vgs > Vth 且 Vds < Vgs - Vth 時(shí)，變阻區(qū)。

當(dāng) Vgs > Vth 且 Vds > Vgs - Vth 時(shí)，飽和區(qū)(恒流區(qū))。

其中 Vth 是 MOS管 的一個(gè)重要參數(shù)——開啟電壓。

當(dāng)MOS管工作在變阻區(qū)內(nèi)時(shí)，其溝道是“暢通”的，相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體。在 Vds Vds < Vgs - Vth時(shí)近似滿足V-I的線性關(guān)系，即有一個(gè)近似固定的阻值。此阻值受 Vgs 控制，故稱變阻區(qū)域。

MOS管工作在飽和區(qū)（恒流區(qū)）與 BJT 的飽和區(qū)不同，稱 MOS管此區(qū)為飽和區(qū)，主要表示 Vds 增加 Id 卻幾乎不再增加——也即電流飽和。其實(shí)在此飽和區(qū)內(nèi)，MOS管 和 BJT 都處于受控恒流狀態(tài)，故也稱其為恒流區(qū)。

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