nce30p30k,30A 30V場效應管,KIA30N03B參數引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-07-11
KIA30N03B采用先進的高單元密度溝槽技術，性能出色，漏源擊穿電壓30V，漏極電流30A，超低柵極電荷RDS（開啟）=15mΩ@VDS=30V，減小損耗；具有出色的Cdv/dt效應下降、100%EAS保證、綠色設備可用，可靠穩定；廣泛應用于同步降壓轉換器、DC-DC電源系統、負載開關中，封裝形式：TO-251、TO-252。KIA30N03B可以代換新潔能nce30p30k。
漏源電壓：30V
漏極電流：30A
漏源通態電阻(RDS(on))：15mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：60A
雪崩能量單脈沖：72MJ
總功耗：25W
輸入電容：572PF
輸出電容：81PF
總柵極電荷：7.2nC
開通延遲時間：4.1nS
關斷延遲時間：15.5nS
上升時間：9.8ns
下降時間：6.0ns
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
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