80n10場效應管參數代換,KCX3310A參數引腳圖,原廠批發-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-07-09
KCX3310A場效應管采用先進的SGT技術，漏源擊穿電壓100V，漏極電流85A；低導通電阻RDS（導通）僅為5mΩ，極低的開關損耗，具有低RDS（開啟）和FOM、卓越的穩定性和均勻性、快速切換和軟恢復，高效可靠，適用于電源切換應用、硬開關和高頻電路、不間斷電源等。封裝形式：DFN5*6、TO-263。
漏源電壓：100V
漏極電流：85A
漏源通態電阻(RDS(on))：5mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：340A
雪崩能量單脈沖：529MJ
總功耗：90W
總柵極電荷：66nC
輸入電容：4600PF
輸出電容：1250PF
開通延遲時間：17.6nS
關斷延遲時間：33.6nS
上升時間：30.2ns
下降時間：39.6ns
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