fhp100n07參數代換,KNP2906B場效應管參數引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-07-03
KNP2906B能夠代換飛虹fhp100n07場效應管進行使用，KNP2906B采用KIA的先進技術生產，使MOS管具有更好的特性，包括快速開關時間、低導通電阻、低柵極電荷和特別優異的雪崩特性。
KNP2906B場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，其RDS（開）典型值為4.6mΩ@VGS=10V，低柵極電荷（典型值為148nC），具有高堅固性和100％的雪崩測試，穩定可靠；還具有改進的dv/dt能力，適用于同步整流、鋰電池保護板和逆變器等多種應用場景，能夠有效減小功率損耗和提高整體效率。
漏源電壓：60V
漏極電流：130A
漏源通態電阻(RDS(on))：4.6mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：580A
雪崩能量單脈沖：506MJ
總功耗：195.3W
總柵極電荷：148nC
輸入電容：6564PF
輸出電容：553PF
開通延遲時間：35nS
關斷延遲時間：135nS
上升時間：78ns
下降時間：60ns
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>