電源適配器mos管,KNX6140S場效應管參數原廠現貨-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-06-18
電源適配器mos管KNX6140S是一款N溝道增強型硅柵極功率MOSFET，漏源擊穿電壓400V，漏極電流11A，RDS（開啟）典型值=0.53Ω@VGS=10V，較低的導通電阻，可最大限度地減少導通損耗，具有超低柵極電荷，出色的改進的dvdt功能，以及高堅固性、快速切換等特性，100%雪崩測試，確保性能穩定可靠。
KNX6140S專為高壓、高速功率開關應用而設計，如開關穩壓器、開關轉換器、螺線管、電機驅動器、繼電器驅動器等。封裝形式：TO-220F/TO-220，散熱良好，安裝方便。
漏源電壓：400V
漏極電流：11A
漏源通態電阻(RDS(on))：0.53Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：44A
雪崩能量單脈沖：365MJ
總功耗：40.2/194.5W
總柵極電荷：15.7nC
輸入電容：980PF
輸出電容：140PF
開通延遲時間：33.5nS
關斷延遲時間：83nS
上升時間：31.5ns
下降時間：56ns
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>