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電源適配器mos管,KNX6140S場效應管參數原廠現貨-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-06-18 

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電源適配器mos管,KNX6140S場效應管參數原廠現貨-KIA MOS管


電源適配器mos管,KNX6140S參數引腳圖

電源適配器mos管KNX6140S是一款N溝道增強型硅柵極功率MOSFET,漏源擊穿電壓400V,漏極電流11A,RDS(開啟)典型值=0.53Ω@VGS=10V,較低的導通電阻,可最大限度地減少導通損耗,具有超低柵極電荷,出色的改進的dvdt功能,以及高堅固性、快速切換等特性,100%雪崩測試,確保性能穩定可靠。


KNX6140S專為高壓、高速功率開關應用而設計,如開關穩壓器、開關轉換器、螺線管、電機驅動器、繼電器驅動器等。封裝形式:TO-220F/TO-220,散熱良好,安裝方便。

電源適配器mos管,KNX6140S參數

電源適配器mos管,KNX6140S參數

漏源電壓:400V

漏極電流:11A

漏源通態電阻(RDS(on)):0.53Ω

柵源電壓:±30V

脈沖漏電流:44A

雪崩能量單脈沖:365MJ

總功耗:40.2/194.5W

總柵極電荷:15.7nC

輸入電容:980PF

輸出電容:140PF

開通延遲時間:33.5nS

關斷延遲時間:83nS

上升時間:31.5ns

下降時間:56ns


電源適配器mos管,KNX6140S參數規格書

電源適配器mos管,KNX6140S參數

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