?2920MOS管現貨,2920場效應管參數引腳圖,中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-05-24
KCX2920K場效應管是一款具有SGT MOSFET技術的優質器件，采用新型溝槽技術，漏源擊穿電壓200V，漏極電流130A，表現出色；RDS（ON）為9.8mΩ（典型值）@VGS=10V，在低柵極電荷情況下最小化開關損耗，快速恢復體二極管，能夠在DC-DC轉換器中發揮重要作用。
KCX2920K場效應管同樣適用于高頻開關和同步整流領域，能夠有效降低能量損耗，提升轉換效率；穩定可靠的特性，為提升能源利用效率、降低系統能耗提供了可靠保障。封裝形式：TO-220、TO-263、TO-247，多種封裝選擇，方便安裝使用。
漏源電壓：200V
漏極電流：130A
漏源通態電阻(RDS(on))：9.8mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：440A
雪崩能量單脈沖：2000MJ
總功耗：333W
總柵極電荷：75nC
輸入電容：6780PF
輸出電容：390F
開通延遲時間：40nS
關斷延遲時間：45nS
上升時間：15ns
下降時間：10ns
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