6706MOS管,6706場效應管,參數(shù)引腳圖規(guī)格書-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-05-16
KIA6706A是一款高單元密度的溝槽式N溝MOSFET，具有出色的RDSON性能，適用于大多數(shù)同步buck變換器應用的門極電荷。6706場效應管符合RoHs和綠色產品要求，是一款環(huán)保的元器件選擇。
KIA6706A場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流18A，額定RDSON為7.5mΩ（在VGS=10V時），表現(xiàn)穩(wěn)定可靠，具有超低的門電荷，在工作時能夠更加高效，還具有Cdv/dt效應下降的特點，有助于減少電路中的不穩(wěn)定因素，提升整體性能，KIA6706A是一款具有先進技術和優(yōu)秀性能的MOSFET器件，適用于各種應用場景。
漏源電壓：60V
柵源電壓：±20A
漏電流連續(xù)：18A
脈沖漏極電流：75A
雪崩電流：40A
雪崩能量：80mJ
耗散功率：2.7W
熱電阻：45℃/V
漏源擊穿電壓：60V
柵極閾值電壓：1.2V
輸入電容：3307PF
輸出電容：201PF
上升時間：41.2ns
封裝形式：SOP-8
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