3423場效應管參數引腳圖,PMOS管3423,SOT23-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-05-13
KIA3423采用先進的溝槽技術，漏源擊穿電壓-20V，漏極電流-2.0A，提供出色的RDS（導通）、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作，能夠減少功耗，提高效率。3423場效應管適合用作負載開關或PWM應用。標準產品KIA3423不含鉛（符合ROHS和Sony 259規范），是綠色產品訂購選項。KIA3423場效應管封裝形式：SOT-23，散熱效果良好，使用安裝方便，適合空間有限的設計。
VDS(V)=-20V
ID=-2.0A
RDS(on)<92mΩ(VGS=-10V,ID=-2.0A)
RDS(on)<118mΩ(VGS=-4.5V,ID=-2.0A)
RDS(on)<166mΩ(VGS=-2.5V,ID=-1.0A)
漏源電壓：-20V
漏極電流：-2.0A
柵源電壓：±12V
脈沖漏電流：-8A
總功耗：1.4W
輸入電容：512PF
輸出電容：77PF
總柵極電荷：5.5nC
開通延遲時間：5nS
關斷延遲時間：28nS
上升時間：6.7ns
下降時間：13.5ns
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>