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40n06場效應管參數,40n06參數,KIA40N06中文資料-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-04-26 

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40n06場效應管參數,KIA40N06

KIA40N06B是性能最高的溝槽N溝道MOSFET,具有極高的單元密度,可為大多數同步降壓轉換器應用提供出色的RDSO和柵極電荷。KIA40N06B符合RoHS和GreeProduct的要求,100%EAS保證,并通過了全功能可靠性認證。


KIA40N06B場效應管采用先進的高細胞密度溝槽技術,具備出色的性能,漏源擊穿電壓60V,漏極電流38A,在VDS為60V時,RDS(開啟)僅為14m?,表現出卓越的導通能力、超低的柵極電荷,在Cdv/dt效應下降方面表現出色、100%的EAS保證,在各種工作條件下都能穩定可靠、GreeDevice技術的引入,進一步提升了性能,適用于各類應用場景。


KIA40N06B場效應管適用于MB/NB/UMPC/VGA高頻點負載同步降壓變換器以及聯網DC-DC電源系統、LCD/LED背光等設備,為電子產品提供可靠穩定的電力支持,40n06場效應管高效的能量轉換能力,能夠發揮出良好的性能,為產品的性能提升和穩定性提供了強大的支持。KIA40N06B場效應管封裝形式:TO-251、TO-252。

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漏源電壓:60V

漏極電流:38A

漏源通態電阻(RDS(on)):14mΩ

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:80A

雪崩能量單脈沖:67MJ

總功耗:45W

輸入電容:2423PF

輸出電容:145PF

總柵極電荷:17.6nC

開通延遲時間:15.5nS

關斷延遲時間:72.8nS

上升時間:2.2ns

下降時間:3.8ns


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