40n60參數(shù)代換,48n60場效應(yīng)管參數(shù),KCX9860A-KIA MOS管

40N60參數(shù)引腳圖

額定電流 (ID)：40A

額定電壓 (VDSS)：600V

額定功率 (PD)：300W

典型導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：0.09Ω

典型柵極驅(qū)動電壓 (VGS(th))：3.0V

40n60參數(shù),48n60參數(shù),KCX9860A

48n60場效應(yīng)管參數(shù)引腳圖

PD最大耗散功率：300W

ID最大漏源電流：40A

V(BR)DSS漏源擊穿電壓：600V

RDS(ON)Ω內(nèi)阻：0.079Ω

VRDS(ON)ld通態(tài)電流：20A

VRDS(ON)柵極電壓：10V

VGS(th)V開啟電壓：3~5V

40n60參數(shù),48n60參數(shù),KCX9860A

40n60,48n60參數(shù),KCX9860A代換

KCX9860A是一款高壓MOSFET，使用先進(jìn)的端接方案來提供增強(qiáng)的電壓阻斷能力，而不會隨著時間的推移而降低性能。此外，這種先進(jìn)的MOSFET設(shè)計用于在雪崩和換向模式下承受高能量。新的節(jié)能設(shè)計還提供了一個具有快速恢復(fù)時間的漏極到源極二極管。這些設(shè)備專為電源、轉(zhuǎn)換器和PWM電機(jī)控制中的高電壓、高速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計，特別適用于二極管速度和整流安全操作區(qū)域至關(guān)重要的橋式電路，并為防止意外電壓瞬變提供額外的安全裕度。

KCX9860A漏源擊穿電壓600V，漏極電流47A；具有堅固的高壓終端、指定雪崩能量、與離散快速恢復(fù)二極管相當(dāng)?shù)脑礃O到漏極恢復(fù)時間、二極管用于橋式電路、高溫下規(guī)定的IDSS和VDS（ON）、隔離安裝孔減少了安裝硬件等優(yōu)異特性；KCX9860A封裝形式：TO-220F、TO-247；能夠替代英飛凌、ST品牌40n60、48n60型號場效應(yīng)管進(jìn)行使用。

40n60參數(shù),48n60參數(shù),KCX9860A