4n60場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)代換,開關(guān)電源適配器專用MOS管-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-02-22
KIA4N60H N溝道增強(qiáng)型硅柵極功率MOSFET專為高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，如開關(guān)穩(wěn)壓器、開關(guān)轉(zhuǎn)換器、螺線管、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、繼電器驅(qū)動(dòng)器。
KIA4N60H場(chǎng)效應(yīng)管漏源電壓600V，漏極電流4A，RDS（ON）=2.3Ω@VGS=10V；具備低柵極電荷（典型值為13.5nC）最小化開關(guān)損耗，高堅(jiān)固性，快速切換能力，指定雪崩能量，改進(jìn)的dv/dt能力，能夠穩(wěn)定可靠地工作，提供更高效的性能。KIA4N60H場(chǎng)效應(yīng)管廣泛應(yīng)用于LED、開關(guān)電源、適配器等領(lǐng)域，具有多種封裝形式：TO-251、252、262、220、220F可供選擇，方便安裝使用。
漏源電壓：600V
柵源電壓：±30A
漏電流連續(xù)：4.0A
脈沖漏極電流：16A
雪崩能量：180mJ
耗散功率：93/31/55W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：600V
溫度系數(shù)：0.6V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：500PF
輸出電容：45PF
上升時(shí)間：32ns
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
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