irf840參數引腳圖,irf840場效應管代換,KIA840中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-02-04
漏極電流 (ID) ：8A
漏源擊穿電壓 (VDS(ON)) ：500V
內阻 (RDS(ON)Ω) ：0.85Ω
柵極閾值電壓 (VGS(th) min) ：2~4V
柵極電荷（Qg）：63 nC
開啟電流 (IGFS(min) A) ：250μA
功耗環境最大值 (PDM) ：125W
KIA840場效應管具有500V 8A的參數，能夠滿足高壓高電流的需求。這款場效應管的RDS（ON）參數僅為0.7Ω（典型值）在VGS=10V時，這意味著它具有非常低的電阻，能夠有效降低能量損耗。KIA840場效應管能夠代換irf840型號進行使用，KIA840封裝有TO-252、TO-263、TO-220，多種封裝形式可供選擇，滿足各種應用場景。
KIA840場效應管是一款適配器、電視電源、SMPS電源以及LCD面板電源等應用領域的理想選擇。它具有出色的性能指標，包括低電阻、低柵極電荷，在開關過程中能夠快速響應并提供穩定的電流輸出；以及合理的峰值電流與脈沖寬度曲線，能夠穩定可靠地滿足各種應用需求。同時，它的符合RoHS標準，具備環境友好性，是一款值得信賴的電子器件。
漏源電壓：500V
漏極電流：8A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：28A
雪崩能量單脈沖：400MJ
最大功耗：100/160W
輸入電容：960PF
輸出電容：110PF
開通延遲時間：11nS
關斷延遲時間：46nS
上升時間：17ns
下降時間：22ns
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