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IRF640場效應管參數,代換,KIA6720N中文資料-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-12-20 

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IRF640場效應管參數,代換,KIA6720N中文資料-KIA MOS管


IRF640場效應管參數

Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V    

Id-連續漏極電流: 18 A

Rds On-漏源導通電阻: 180 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Pd-功率耗散: 125 W  

正向跨導-最小值: 11 S

下降時間: 25 ns  

上升時間: 27 ns  

典型接通延遲時間: 13 ns


IRF640參數代換,KIA6720N場效應管

KIA6720N場效應管漏源擊穿電壓200V,漏極電流18A,RDS(ON)=0.12Ω@VGS=10V;KIA6720N可以代換IRF640型號使用,封裝形式:TO-220,低熱阻和低成本,便于安裝和使用。


KIA6720N 200V 18A場效應管符合RoHS、低導通電阻、低柵極電荷使開關損耗最小化、峰值電流與脈沖寬度曲線,高效穩定,廣泛應用于逆變器、CRT、電視/監視器等領域。

IRF640場效應管參數,KIA6720N

IRF640參數代換,KIA6720N參數詳情

漏源電壓:200V

柵源電壓:±20A

漏電流連續:18A

脈沖漏極電流:72A

雪崩能量:1000mJ

耗散功率:156W

熱電阻:62℃/V

漏源擊穿電壓:200V

柵極閾值電壓:2V

輸入電容:1256PF

輸出電容:158PF

上升時間:33ns


IRF640參數代換,KIA6720N規格書

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