RC復(fù)位電路圖,RC復(fù)位電路設(shè)計(jì)-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2023-12-14
如下圖所示，R1與C1組成積分電路，R2與C2組成微分電路。
在應(yīng)用中經(jīng)常會(huì)使用RC對(duì)單片機(jī)進(jìn)行復(fù)位設(shè)計(jì)，比如Vo接單片機(jī)復(fù)位端，單片機(jī)有的需要低電平復(fù)位，而有的需要高電平復(fù)位，復(fù)位的時(shí)間也有明確的要求，下面分享2個(gè)案例。
設(shè)計(jì)一
1.要求低電平復(fù)位
2.低于1V以下維持10ms+
要求低電平復(fù)位，即選擇RC積分電路，因?yàn)樯想娝查gC1呈短路狀態(tài)，所以Vo為低電平，由于電阻R1的存在，使Vo從0V電平呈指數(shù)規(guī)律慢慢上升，當(dāng)上升到1V的時(shí)間要求大于10ms。
計(jì)算過(guò)程：
選常用電容參數(shù)4.7uf即可達(dá)到要求，在實(shí)際應(yīng)用中還需要考慮一些余量，比如電阻、電容參數(shù)存在誤差，5V電壓也存在誤差，會(huì)造成時(shí)間改變。
設(shè)計(jì)二
1.要求高電平復(fù)位
2.高于4V以上維持10ms+
要求高電平復(fù)位，即選擇RC微分電路，因?yàn)樯想娝查gC2呈短路狀態(tài)，所以Vo為5V電平，由于電阻R1的存在，使Vo電平從5V呈指數(shù)規(guī)律慢慢下降，當(dāng)下降到4V時(shí)要求大于10ms。
計(jì)算過(guò)程并沒(méi)有多大差異，只是第一個(gè)公式稍稍變化。
模擬仿真，積分電路由R1和C1組成，從Vo1輸出，為方便觀察和對(duì)比，將微分電路C2和R2一起接入，由Vo2輸出。
仿真原理圖如下圖2所示，仿真結(jié)果波形如下圖3所示：
仿真圖3中的綠線為積分電路輸出Vo1，紅線為微分電路輸出Vo2。可以看到，綠線（積分輸出Vo1）在1.02V左右時(shí)的時(shí)間為10.7ms，紅線（微分輸出Vo2）在4.02V左右的時(shí)間為10.1ms，說(shuō)明符合設(shè)計(jì)要求。
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