si2306場效應管參數,2306場效應管參數代換-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-11-17
2306場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為3.5A；極低RDS（on）的高密度單元設計、無鉛產品、堅固可靠；封裝形式：SOT-23。2306場效應管非常適合應用于LED感應燈、玩具、藍牙音箱等產品領域，2306場效應管能夠替代VISHAY(威世)、時科、CJ、新潔能產品型號進行使用，KIA半導體原廠直銷高性價比。
VDS =30V,R DS(on) =0.057Ω@V GS =10V,I D =3.5A
VDS =30V,R DS(on) =0.094Ω@V GS =4.5V,I D =2.8A
產品型號：KIA2306
工作方式：3.5A/30V
漏源電壓：30V
柵源電壓：±20A
漏電流連續：3.5A
脈沖漏極電流：16A
雪崩電流：1.25A
耗散功率：1.25W
熱電阻：100V/℃
漏源擊穿電壓：30V
柵極閾值電壓：1V
輸入電容：555PF
輸出電容：120PF
上升時間：7.5ns
封裝形式：SOT-23
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