nce65t540參數代換,引腳圖,6165C場效應管-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-09-19
KNF6165C最高承受電壓可達650V，漏極電流最大值為10A，柵源電壓：±20V，脈沖漏極電流：40A，RDS（ON）=0.8Ω（典型值）@VGS=10V；封裝形式：TO-220F；腳位排列位GDS。KNF6165C溝道增強型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開關應用而設計，如高效開關電源、有源功率因數校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮流器。6165C 650V 10A場效應管能夠代替nce65t540型號產品，高效質優，國產原廠。
快速切換
RDS（ON）=0.8Ω（典型值）@VGS=10V
低柵極電荷
低反向傳輸電容
100%單脈沖雪崩能量測試
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