高壓MOS管62150A 1500V場效應管STW21N150-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-09-04
高壓MOS管KNX62150A：漏源擊穿電壓高達1500V，漏極電流最大值為11A；RDS (on) = 2.4mΩ(typ)@VGS =10V。具有低電荷最小化開關損耗，低反向傳輸電容，開關速度快等優點，適用于高壓電源、新能源汽車電機等。封裝形式：TO-247；腳位排列位GDS。
KNX62150A--兼備超結技術優點與1500V漏源（drain-to-source）擊穿電壓（breakdown voltage）的晶體管，實現更環保、更安全的電源應用，并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設計中。KNX62150A可替代1500V場效應管STW21N150。
符合RoHS
RDS（開啟），典型值=2.4Ω@VGS=10V
低柵極電荷最小化開關損耗
快速恢復體二極管
高壓電源
電容器放電
脈沖電路
KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發與銷售的高新技術型企業，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數碼家電、安防工程等行業長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發創新，為客戶提供綠色、節能、高效的功率半導體產品。來電咨詢，免費送樣！
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>