24n50場效應管參數,24n50代換,引腳圖 500V-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-08-10
KIA24N50功率MOSFET采用KIA先進的平面條紋DMOS技術生產。這種先進的技術經過特別定制，可以最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些設備非常適合高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有功功率因數校正。這款24A、500V低電流、高電壓的MOS管是能夠匹配：2SK2837、25N50兩款型號，能夠完美代換使用。
RDS(ON)=0.16Ω@VGS=10V
低柵電荷
高耐用性
快速切換
雪崩測試100%
提高了dv/dt能力
產品型號：KIA24N50
工作方式：24A/500V
漏源電壓：500V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：24A
脈沖漏極電流：96A
雪崩能量：1150mJ
耗散功率：290W
熱電阻：40℃/W
漏源擊穿電壓：500V
溫度系數：0.5V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：3500 PF
輸出電容：520 PF
上升時間：35 ns
封裝形式：TO-3P
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KIA半導體專業生產MOS管場效應管廠家（國家高新技術企業）成立于2005年，公司成立初期就明確立足本土市場，研發為先導，了解客戶需求，運用創新的集成電路設計方案和國際同步研發技術，結合中國市場的特點，向市場推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等電源相關產品，產品的穩定性，高性價比，良好的服務，以及和客戶充分的技術，市場溝通的嚴謹態度，在移動數碼，LCE,HID,LED,電動車，開關電源，逆變器，節能燈等領域深得客戶認可。
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