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什么是寄生效應?功率級寄生效應詳解-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-07-25 

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什么是寄生效應?功率級寄生效應詳解-KIA MOS管


寄生效應:就是本來沒有在那個地方設計電容或電感甚至電阻,然而因為某些因素如結構之間、PCB布線、管腳引線、通孔質量、焊盤到地距離、焊盤到電源平面距離、和焊盤到印制線之間、材料差異、器件封裝、封裝引腳和印制線過長等,特別是在高速電路中而表現(xiàn)出來的呈容性、感性、阻性。DC/DC轉換器中半導體器件的高頻開關特性是主要的傳導和輻射發(fā)射源。


在電磁干擾(EMI)測試期間,如果將總噪聲測量結果細分為DM 和CM噪聲分量,可以確定DM和CM兩種噪聲各自所占的比例,從而簡化 EMI 濾波器的設計流程。高頻下的傳導發(fā)射主要由 CM 噪聲產(chǎn)生,該噪聲的傳導回路面積較大,進一步推動輻射發(fā)射的產(chǎn)生。


文章將全面介紹降壓穩(wěn)壓器電路中影響 EMI 性能和開關損耗的感性和容性寄生元素。通過了解相關電路寄生效應的影響程度,可以采取適當?shù)拇胧⒂绊懡抵磷畹筒p少總體 EMI 信號。


檢驗具有高轉換率電流的關鍵回路

根據(jù)電源原理圖進行電路板布局時,其中一個重要環(huán)節(jié)是準確找到高轉換率電流(高 di/dt)回路,同時密切關注布局引起的寄生或雜散電感。這類電感會產(chǎn)生過大的噪聲和振鈴,導致過沖和地彈反射。


圖 1 中的功率級原理圖顯示了一個驅動高側和低側 MOSFET(分別為 Q1 和 Q2)的同步降壓控制器。以 Q1 的導通轉換為例。在輸入電容 CIN 供電的情況下,Q1 的漏極電流迅速上升至電感電流水平,與此同時,從 Q2 的源極流入漏極的電流降為零。


MOSFET 中紅色陰影標記的回路和輸入電容(圖 1 中標記為“1”)是降壓穩(wěn)壓器的高頻換向功率回路或“熱”回路 。功率回路承載著幅值和 di/dt 相對較高的高頻電流,特別是在 MOSFET 開關期間。

寄生效應

圖 1:具有高轉換率電流的重要高頻開關回路


圖1中的回路“2”和“3”均歸類為功率 MOSFET 的柵極回路。具體來說,回路 2 表示高側 MOSFET 的柵極驅動器電路(由自舉電容 CBOOT 供電)。回路 3 表示低側 MOSFET 柵極驅動器電路(由 VCC 供電)。這兩條回路中均使用實線繪制導通柵極電流路徑,以虛線繪制關斷柵極電流路徑。


寄生組分和輻射 EMI

EMI 問題通常涉及三大要素:干擾源、受干擾者和耦合機制。干擾源是指 dv/dt 和/或 di/dt 較高的噪聲發(fā)生器,受干擾者指易受影響的電路(或 EMI 測量設備)。


耦合機制可分為導電和非導電耦合。非導電耦合可以是電場(E 場)耦合、磁場(H 場)耦合或兩者的組合 - 稱為遠場 EM 輻射。近場耦合通常由寄生電感和電容引起,可能對穩(wěn)壓器的 EMI 性能起到?jīng)Q定性作用,影響顯著。


功率級寄生電感

功率MOSFET 的開關行為以及波形振鈴和 EMI 造成的后果均與功率回路和柵極驅動電路的部分電感相關。圖 2 綜合顯示了由元器件布局、器件封裝和印刷電路板(PCB)布局產(chǎn)生的寄生元素,這些寄生元素會影響同步降壓穩(wěn)壓器的 EMI 性能。

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圖 2:降壓功率級和柵極驅動器的“剖析原理圖”(包含感性和容性寄生元素)


有效高頻電源回路電感(LLOOP)是總漏極電感(LD)、共源電感(LS)(即輸入電容和 PCB 走線的等效串聯(lián)電感(ESL))和功率 MOSFET 的封裝電感之和。按照預期,LLOOP 與輸入電容 MOSFET 回路(圖 1 中的紅色陰影區(qū)域)的幾何形狀布局密切相關。與此同時,柵極回路的自感 LG 由 MOSFET 封裝和 PCB 走線共同產(chǎn)生。


從圖 2 中可以看出,高側 MOSFET Q1 的共源電感同時存在于電源和柵極回路中。Q1 的共源電感產(chǎn)生效果相反的兩種反饋電壓,分別控制 MOSFET 柵源電壓的上升和下降時間,因此降低功率回路中的 di/dt。然而,這樣通常會增加開關損耗,因此并非理想方法。


功率級寄生電容

寄生電容一般是指電感電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性實際上,一個電阻等效于一個電容,一個電感,和一個電阻的串連在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯而在高頻情況下,等效值會增大不能忽略在計算中我們要考慮進去ESL就是等效電感ESR就是等效電阻不管是電阻電容,電感,還是二極管,三極管,MOS管,還有IC,在高頻的情況下我們都要考慮到它們的等效電容值電感值。


公式 1 為影響 EMI 和開關行為的功率 MOSFET 輸入電容、輸出電容和反向傳輸電容三者之間的關系表達式(以圖 2 中的終端電容符號表示)。在 MOSFET 開關轉換期間,這種寄生電容需要幅值較高的高頻電流。

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公式 2 的近似關系表達式表明,COSS 與電壓之間存在高度非線性的相關性。公式3給出了特定輸入電壓下的有效電荷 QOSS,其中 COSS-TR 是與時間相關的有效輸出電容,與部分新款功率 FET 器件的數(shù)據(jù)表中定義的內(nèi)容一致。

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圖2中的另一個關鍵參數(shù)是體二極管 DB2 的反向恢復電荷(QRR),該電荷導致 Q1 導通期間出現(xiàn)顯著的電流尖峰。QRR取決于許多參數(shù),包括恢復前的二極管正向電流、電流轉換速度和芯片溫度。


一般來說,MOSFET QOSS 和體二極管 MOSFET QOSS 會為分析和測量過程帶來諸多難題。在 Q1導通期間,為Q2的 COSS2 充電的前沿電流尖峰和為 QRR2 供電以恢復體二極管 DB2前沿電流尖峰具有類似的曲線圖,因此二者常被混淆。


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