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MOS管做電源開(kāi)關(guān)的經(jīng)驗(yàn)分享-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2022-09-21 

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MOS管做電源開(kāi)關(guān)的經(jīng)驗(yàn)分享-KIA MOS管


一般的電源開(kāi)關(guān)電路,控制電源的目的是省電,控制靜態(tài)電流。不過(guò)以下的電路存在著幾個(gè)缺點(diǎn):


1.管壓降較大

我們知道采用PNP管子作為開(kāi)關(guān)管的飽和壓降在0~0.3V,這在低電路上是不可接受的。3.3V的控制電源最大誤差變成3V,某些1.5V的電源變成1.2V,這會(huì)導(dǎo)致由此供電的芯片損壞。


PMOS的管子壓降為Vdrop=Id×Rdson,Rdson可選擇,實(shí)際的值在1歐以內(nèi)。


2.控制電流

我們知道Ib和Ic是相關(guān)的,飽和放大系數(shù)一般的設(shè)計(jì)為30,因此我們通過(guò)200mA的電流的時(shí)候,Ib=200/30=7mA,這樣導(dǎo)致了控制電路功耗較大。


3.開(kāi)關(guān)管功耗

我們知道三極管的功耗計(jì)算公式為Pd=Veb×Ib+Vec×Ic,Vec飽和時(shí)0~0.3V的條件下,當(dāng)通過(guò)電流較大的時(shí)候,開(kāi)關(guān)管的功耗就很大。


比較而言,PMOS的導(dǎo)通電阻Rdson較小(也可選擇),P=Rdson×Id^2。


PMOS高壓電路設(shè)計(jì)(12V)電路

對(duì)比PNP電路設(shè)計(jì)

低壓開(kāi)關(guān)(NMOS)【5V,3.3V,1.5V】


NMOS導(dǎo)通關(guān)閉條件:

這里使用PNP管直接使NM OS的G和Vin導(dǎo)通,這樣NMOS才可以完全導(dǎo)通,要是不能使Vin完全和NMOS的G完全接通,就使用最上面的PMOS的方案,如果接成如下的情況:


MOS管 開(kāi)關(guān) 電路


結(jié)果

當(dāng)Photo Control為高定平,9014導(dǎo)通,640斷開(kāi)。當(dāng)Photo Control為低電平,9014斷開(kāi),640導(dǎo)通,可此時(shí)640上ds間3~4V的壓降,本意DC=VBAT(8V)  ,現(xiàn)在DC只有3點(diǎn)幾伏電壓;


原因:

NPN+PMOS才做電源控制,這是NPN+NMOS,R21直接換成0歐就通了,只不過(guò)沒(méi)有控制什么事了。


還有NMOS的襯底一般做出來(lái)的時(shí)候是和源極接在一起的,開(kāi)機(jī)NMOS需控制電壓(相對(duì)襯底)大于開(kāi)啟電壓,這樣接襯底完全懸空了,現(xiàn)在的電路無(wú)論怎么控制都達(dá)不到要求,電路本身設(shè)計(jì)就錯(cuò)了,NMOS一般是做低輸出的,PMOS才是高輸出電路,這個(gè)性質(zhì)和三極管的NPN和PNP差不多的。TTL中用三極管,TTL能驅(qū)動(dòng)MOS,MOS不能驅(qū)動(dòng)TTL。


KIA半導(dǎo)體是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè),竭誠(chéng)服務(wù)全球開(kāi)關(guān)電源、綠色照明、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車電子、新能源充電樁、太陽(yáng)能設(shè)備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長(zhǎng)期合作伙伴,主動(dòng)了解客戶需求,不斷研發(fā)創(chuàng)新,為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

MOS管 開(kāi)關(guān) 電路

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MOS管 開(kāi)關(guān) 電路



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