全橋MOS IGBT電路搭建-后端全橋電路-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-09-19
逆變電路（Inverter Circuit）是與整流電路（Rectifier）相對應，把直流電變成交流電稱為逆變。逆變電路可用于構成各種交流電源，在工業(yè)中得到廣泛應用。
為了提高所設計的激勵電源輸出功率和工作頻率，逆變電路采用全橋逆的方式，相對于單管和半橋逆變電路，全橋逆變的輸出功率更高、開關損耗更小、可接納的控制方式更多。
全橋逆變電路如下圖所示：
設計全橋電路的三個要點：
1.MOS/IGBT的柵極引腳部分的電路：
簡單來說就是驅動全橋電路就是驅動信號驅動MOS/IGBT的柵極，但是驅動信號直接送到柵極上是不可以的，因為MOS/IGBT柵極結構原因，存在電容，如果驅動信號不輔助柵極部分的硬件電路會使MOS/IGBT一直導通，造成全橋電路中的四個管全部導通，結果可想而知。
解決方案比如下圖所示：
2.MOS/IGBT的保護電路：
MOS/IGBT管具有較脆弱的承受短時過載能力，所以在應用時必須為其設計合理的保護電路來提高器件的可靠性。常見的保護電路有很多種，比如RC保護電路或者RCD保護電路。
本次設計采用的是RCD 緩沖吸收電路和MOS管構成全橋逆變電路，將直流高壓電轉換為交流激勵信號。
3. 全橋電路的器件選型問題：
全橋電路中每一個器件的選型都尤為重要，可能哪一個器件的承受值不滿足可能會造成整個全橋電路癱瘓。比如MOS管的選型，在計算最大工作頻率時要關注MOS管的上升和下降時間，以及保護電路的器件特性等。
本次設計的全橋逆變電路（IRFP460MOS管、水泥電阻、聚酯膜電容以及快恢復二極管等），其中最高工作頻率以及耐壓耐流主要看所選擇的器件（IGBT工作頻率會低一些，但是耐壓耐流值高）。
下圖是全橋逆變電路的輸出波形：
下圖是本次設計中采樣電阻采到的波形（可以看出峰峰值電流達到100A）。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯(lián)系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>