5N60場效應管參數(shù)代換 5N60引腳圖 5N60E參數(shù)4.5A600V-KIA MOS管

這些N溝道增強模式的功率場效應晶體管是用KIA半導體制造的專有、平面、DMOS技術(shù)。這項先進的技術(shù)經(jīng)過了特別的調(diào)整，以使其最小化通態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開關性能，并承受高能量脈沖在雪崩和換向模式。這些器件非常適合于高效率的開關模式電源供應和電子燈鎮(zhèn)流器的基礎上的半橋。

5N60 4.5A600V場效應管-特征

4.5A，600V，RDS（ON）= 2Ω@ VGS = 10v

低反饋電容（典型值8.0pf）

低柵極電荷（典型值高= 16nc）

快速切換

100%雪崩測試

改進的dt／dt能力

符合RoHS

5N60 4.5A600V場效應管參數(shù)

產(chǎn)品編號：KIA 5N60

系列名稱：MOSFET

溝道：N溝道

耗散功率（pd）：100

漏源反向電壓（Vds）：600

柵源反向電壓（Vgs）：30

漏極電流（連續(xù)）（id）：5

最高結(jié)溫（Tj），℃：150

上升時間（tr）：42

輸出電容（Cd），PF：55

通態(tài)電阻（Rds），ohm：1.8

封裝形式：TO-220、TO-220F等

5N60E 4.5A600V封裝圖

N60 場效應管參數(shù)4.5A600V

5N60場效應管規(guī)格書資料

N60 場效應管參數(shù)4.5A600V

5N60 場效應管參數(shù)4.5A600V

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