PMOS做固態(tài)繼電器，PMOS防電流倒灌電路-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2022-06-23
可以通過(guò)增加一控制I/O，控制開(kāi)通。并且能在主動(dòng)關(guān)斷時(shí)，防止倒灌。
固態(tài)繼電器電路（防倒灌
如上這個(gè)電路，這個(gè)電路廣泛使用在 電源管理、充電控制上。
這個(gè)電路好就好在它是個(gè)雙向開(kāi)關(guān)，而且可完全控制開(kāi)通/關(guān)斷，完全可以替代機(jī)械繼電器來(lái)做固態(tài)繼電器（前提是輸入的信號(hào)電壓不能太低，起碼超出PMOS的G極導(dǎo)通電壓范圍）。
下面來(lái)分析原理：
CONTROL電平為高，電路開(kāi)通，雙向?qū)ǎ?/span>
如CONTROL電平為高，則Q4 NMOS開(kāi)通，Q2、Q3的G極電位均被拉低到0V。
Q2的體二極管率先導(dǎo)通，Q2的S極電平為VCC-0.7V，因?yàn)镚極電平為0，所以滿足開(kāi)通條件，Q2完全導(dǎo)通。
而Q3此時(shí)的S極與Q2的S極相連，電位相同，均為VCC。并且G極電平為0，也滿足開(kāi)通條件，Q3也完全導(dǎo)通。之后VCC向負(fù)載正常供電。
反過(guò)來(lái)，如果VCC=0，而負(fù)載是電壓源，也同樣導(dǎo)通，只不換成了Q3的體二極管先導(dǎo)通，然后再輪到Q2。
CONTROL電平為低，電路完全關(guān)斷：
CONTROL電平為低，Q2、Q3都會(huì)被關(guān)斷，并且R2持續(xù)上拉，保持Vgs=0，兩個(gè)PMOS全部處于完全關(guān)斷狀態(tài)。
并且因?yàn)镼2、Q3的體二極管是反向串聯(lián)的，所以無(wú)論從左還是從右側(cè)，流經(jīng)DS的電流只有反向漏電流，幾乎是沒(méi)有的。
上面的開(kāi)關(guān)電路固然非常好，但需要的元件數(shù)量的比較多，并且需要串聯(lián)兩個(gè)PMOS，會(huì)對(duì)負(fù)載效率和成本造成一定的影響。
如果只由一側(cè)向另一側(cè)供電，不考慮也不存在電流倒灌的情景。（實(shí)際中大多是是這種情景）來(lái)設(shè)計(jì)一個(gè)高側(cè)開(kāi)關(guān)的話，可以是下面這種樣式：
上圖能控制開(kāi)通/關(guān)斷，但不能防止電流倒灌。（體二極管會(huì)導(dǎo)通）
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