mos管場(chǎng)效應(yīng)管?功率規(guī)格型號(hào)有哪些？
信息來(lái)源：本站 日期：2017-08-02
功率規(guī)格：PD、Ptot、IDR、IS
PD、Ptot的含義略有差別，有些制造商則會(huì)忽略了兩者的差別。通常所說(shuō)的“多少瓦”的管子就是指的PD、Ptot額定值。
PD的含義是“Under Specified Heat Conditions，Maximum Allowable Val-ue of Constant Drain Power Dissipation”（給定散熱條件下，漏極允許的最大連續(xù)功耗），沒(méi)有明確說(shuō)明的情況下，包括VMOS管芯本身與體二極管的功耗。給定散熱條件只是定義了測(cè)試條件，對(duì)測(cè)試結(jié)果并無(wú)影響。
Ptot的含義是“Total Dissipation”（總耗散功率），明確表示包括了體二極管的功耗。
耗散功率指的是晶體管自身能夠消耗的最大電功率，這些電功率都轉(zhuǎn)化成了熱能，因此也可以理解為晶體管自身發(fā)散熱最的能力。
如果一份技術(shù)文檔明確指出PD只是管芯的功率耗散能力，那么Ptot就約等于PDX2。這是因?yàn)閂MOS管芯本身與體二極管的功率耗散能力幾乎是一樣的。
一般情況下，如果制造商分別給出了VMOS管芯與體二極管的耗散功率，這時(shí)候的VMOS多半是采用了與肖特基二極管相當(dāng)?shù)捏w二極管，如SiC體二極管，這樣的體二極管的自身功耗小，功率耗散能力也相對(duì)要小一些。如果是低速應(yīng)用，就要適當(dāng)?shù)亟档蚉D，因?yàn)榈退偾闆r下高速體二極管的優(yōu)勢(shì)是難以體
現(xiàn)的。
PD是容易讓入門者誤解的數(shù)據(jù)，不少入門者會(huì)誤認(rèn)為這是：VMOS的功率輸出能力。當(dāng)然，VMOS要輸出功率，PD也是必需的，盡管如此，二者并沒(méi)有必然的聯(lián)系。
技術(shù)手冊(cè)中給出的是PD的最大值，如果把VMOS看作一個(gè)人，PD就可以視為一個(gè)人的飯量，這個(gè)人的力氣就好比是功率輸出能力。盡管人力上的飯量一般都很大，但是飯量大的人可不一定是人力土。
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