圖文分享-了解MOSFET元器件的特性-KIA MOS管

MOSFET元器件的特性

1. 功率損耗

MOSFET 的功率損耗主要受限于 MOSFET 的結(jié)溫，基本原則就是任何情況下，結(jié)溫不能超過規(guī)格書里定義的最高溫度。而結(jié)溫是由環(huán)境溫度和 MOSFET 自身的功耗決定的。

下圖是典型的功率損耗與 MOSFET 表面結(jié)溫（Case temp.）的曲線圖。

MOSFET 特性

一般 MOSFET 的規(guī)格書里面會(huì)定義兩個(gè)功率損耗參數(shù)，一個(gè)是歸算到芯片表面的功率損耗，另一個(gè)是歸算到環(huán)境溫度的功率損耗。

這兩個(gè)參數(shù)可以通過如下兩個(gè)公式獲得，重點(diǎn)強(qiáng)調(diào)一點(diǎn)，與功耗溫度曲線密切相關(guān)的重要參數(shù)熱阻，是材料和尺寸或者表面積的函數(shù)。隨著結(jié)溫的升高，允許的功耗會(huì)隨之降低。

MOSFET 特性

根據(jù)最大結(jié)溫和熱阻，可以推算出 MOSFET 可以允許的最大功耗。

MOSFET 特性

歸算到環(huán)境溫度的熱阻是布板，散熱片和散熱面積的函數(shù)，如果散熱條件良好，可以極大提升 MOSFET 的功耗水平。

2. 漏極（溝道）電流

規(guī)格書中會(huì)定義最大持續(xù)漏極電流和最大脈沖電流，如下圖。

一般規(guī)格書中最大脈沖電流會(huì)定義在最大持續(xù)電流的 4 倍，并且隨著脈沖寬度的增加，最大脈沖電流會(huì)隨之減少，主要原因就是 MOSFET 的溫度特性，這一點(diǎn)可以從之后講到的安全工作區(qū)圖形中清楚看到。

MOSFET 特性

理想情況下，理論上最大持續(xù)電流只依賴于最大功耗，此時(shí)最大持續(xù)電流可以通過功率公式（P=I^2 R）推算出。

如下式：

MOSFET 特性

然而實(shí)際中，其他條件會(huì)限制理論上計(jì)算出來的最大持續(xù)電流，比如銅線直徑，芯片工藝與組裝水平等。比如上式中計(jì)算的最大持續(xù)電流為 169A，但是考慮到其他約束條件，實(shí)際只能達(dá)到 100A。所以制造商的工藝水平某種程度上決定了設(shè)計(jì)余量，知名廠商往往強(qiáng)項(xiàng)就在于此。

下圖就是實(shí)際的持續(xù)電流與結(jié)溫的關(guān)系曲線圖，脈沖電流是由安全工作區(qū)決定的。

MOSFET 特性