N溝道MOS管KIA3414 4.2A20V? SOT-23 場效應管原廠送樣-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-04-12
KIA3414采用先進的溝槽技術，提供出色的RDS（on），低柵極電荷門極電壓低至1.8V。該裝置適用于負載開關或PWM應用。標準產品KIA3414無鉛（符合ROHS和Sony 259規范）。KIA3414是一款綠色產品訂購選項。KIA3414在電氣上是相同的。
VDS (V)=20V
ID=4.2A
RDS(on) <50mΩ(V GS =4.5V,I D =4.2A)
RDS(on) <63mΩ(V GS =2.5V,I D =3.7A)
產品型號：KIA3414
工作方式：4.2A/20V
漏源電壓：20V
柵源電壓：±12A
漏電流連續：4.2A
脈沖漏極電流：15A
耗散功率：1.4W
熱電阻：70℃/W
漏源擊穿電壓：20V
柵極閾值電壓：-0.4V
輸入電容：436PF
輸出電容：66PF
上升時間：6.3ns
封裝形式：SOT-23
 |
KIA3414 4.2A/20V |
| 產品編號 | KIA3414 N溝道MOSFET |
| 產品特征 |
VDS (V)=20V ID=4.2A RDS(on) <50mΩ(V GS =4.5V,I D =4.2A) RDS(on) <63mΩ(V GS =2.5V,I D =3.7A) |
| 適用范圍 |
適用作為負荷開關或在PWM |
| 封裝形式 | SOT-23 |
| PDF文件 |
 【直接在線預覽】 |
| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網址 | ww.kiaic.com |
| PDF總頁數 | 總5頁 |
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>