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【電路分享】常用的不對(duì)稱半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電路-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-03-18 

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【電路分享】常用的不對(duì)稱半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電路-KIA MOS管


不對(duì)稱半橋驅(qū)動(dòng)電路介紹及分析

本文介紹了幾種常用的不對(duì)稱半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電路,分析了各電路的優(yōu)點(diǎn)和適用場(chǎng)合。


非隔離的不對(duì)稱半橋驅(qū)動(dòng)電路

MOSFET 不對(duì)稱半橋隔離驅(qū)動(dòng)電路


圖1為常用的小功率驅(qū)動(dòng)電路,簡(jiǎn)單可靠成本低,適用于不要求隔離的小功率開關(guān)設(shè)備。其中一路直接接到下管,另外一路經(jīng)反向器反向后驅(qū)動(dòng)上管。RP1,RP2用于調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間。


正激式不對(duì)稱半橋隔離驅(qū)動(dòng)電路

一種正激式不對(duì)稱半橋隔離驅(qū)動(dòng)電路,如圖2所示。

MOSFET 不對(duì)稱半橋隔離驅(qū)動(dòng)電路


以正向電路為例,脈沖信號(hào)通過高頻脈沖變壓器耦合去驅(qū)動(dòng)功率MOSFET管,次級(jí)脈沖電壓為正時(shí),MOSFET導(dǎo)通,在此期間VT3截止,由其構(gòu)成的泄放電路不工作。


當(dāng)次級(jí)脈沖電壓為零時(shí),則VT3導(dǎo)通,快速泄放MOSFET柵極電荷,加速M(fèi)OSFET的截止。R7是用于抑制驅(qū)動(dòng)脈沖的尖峰,R9,VD3,R11,VD5,R13可以加速驅(qū)動(dòng)并防止驅(qū)動(dòng)脈沖產(chǎn)生振蕩。和與它相連的脈沖變壓器繞組共同構(gòu)成去磁電路。


該電路實(shí)現(xiàn)了隔離,且能輸出較好的驅(qū)動(dòng)波形。但是也存在一些不足之處:

1、結(jié)構(gòu)復(fù)雜,需要雙電源供電(±12V);


2、元器件較多,特別是需要兩個(gè)隔離變壓器,不僅占用較大空間,而且增加電路成本;專用芯片驅(qū)動(dòng)電路


比如L6384是專門的不對(duì)稱半橋驅(qū)動(dòng)芯片,其原理圖及外圍電路如圖3所示。單脈沖從1腳(IN)輸入,5腳(HVG)和7腳(LVG)輸出互補(bǔ)的脈沖。


3腳(DT/ST)外接電阻和電容來控制兩路輸出的死區(qū)時(shí)間。當(dāng)3腳的電平低于0.5V的時(shí)候,芯片停止工作。專用芯片具有外圍電路簡(jiǎn)單、占用空間小的特點(diǎn),但由于其成本較高,不適用于低成本設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。


MOSFET 不對(duì)稱半橋隔離驅(qū)動(dòng)電路


新型的不對(duì)稱半橋隔離驅(qū)動(dòng)電路

根據(jù)以上幾種驅(qū)動(dòng)電路,針對(duì)傳統(tǒng)隔離驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜、占用空間大、驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用的局限性等問題,提出了一種新型的不對(duì)稱半橋隔離驅(qū)動(dòng)電路,適用于單脈沖輸出的芯片,具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠,占用空間小等特點(diǎn),并且實(shí)現(xiàn)了電氣隔離,可以運(yùn)用于中大功率場(chǎng)合。


MOSFET 不對(duì)稱半橋隔離驅(qū)動(dòng)電路


驅(qū)動(dòng)電路如圖4所示,工作頻率由磁芯的特性決定,一般使用高頻磁芯,工作頻率可達(dá)100kHZ。


原邊VT1,VT2構(gòu)成的推挽式功放電路。脈沖輸出高電平時(shí),VT1導(dǎo)通,提供MOS管驅(qū)動(dòng)功率;低電平時(shí),VT2導(dǎo)通,電容上的儲(chǔ)能提供反向脈沖。


變壓器副邊輸出的兩路波形經(jīng)調(diào)理電路后變成互補(bǔ)的脈沖信號(hào),從而驅(qū)動(dòng)MOSFET。驅(qū)動(dòng)脈沖為正時(shí),MOSFET導(dǎo)通,在此期間VT1,VT2截止,由其構(gòu)成的泄放電路不工作。


當(dāng)次級(jí)脈沖電壓為零時(shí),則VT1,VT2導(dǎo)通,快速泄放MOSFET柵極電荷,加速M(fèi)OSFET的截止。穩(wěn)壓管VD1,VD2對(duì)脈沖波形正向進(jìn)行削波。


在SABER仿真下,該變壓器副邊N2,N3以及上、下管的驅(qū)動(dòng)波形分別如圖5(a)、(b)所示。


MOSFET 不對(duì)稱半橋隔離驅(qū)動(dòng)電路


該電路具有以下優(yōu)點(diǎn):

1、電路結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單可靠,具有電氣隔離作用。占空比固定時(shí),通過合理的參數(shù)設(shè)計(jì),此驅(qū)動(dòng)電路具有較快的開關(guān)速度。


2、該電路只需一個(gè)電源,即為單電源工作。


實(shí)驗(yàn)和結(jié)論

本文設(shè)計(jì)了一臺(tái)不對(duì)稱半橋變換器樣機(jī):工作頻率為98kHz,輸入電壓為400VDC,輸出電壓為30VDC。測(cè)得占空比為0.47時(shí)的驅(qū)動(dòng)波形Ug1,Ug1如圖(6)所示。


MOSFET 不對(duì)稱半橋隔離驅(qū)動(dòng)電路


經(jīng)過驗(yàn)證,這種新型的不對(duì)稱半橋隔離驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)不僅簡(jiǎn)單,并且圓滿的實(shí)現(xiàn)了與MOS管的的互補(bǔ)驅(qū)動(dòng),并且這種驅(qū)動(dòng)具有很好穩(wěn)定性,足以成為一款高性能的驅(qū)動(dòng)電路。希望大家能夠充分理解這種全新的驅(qū)動(dòng)電路,并將之充分利用。




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