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OCL電路的組成及工作原理分析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2021-11-23 

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OCL電路的組成及工作原理分析-KIA MOS管


為了消除基本OCL電路所產生交越失真,應當設置合適的靜態工作點,使兩只放大晶體三極管均工作在臨界導通或微導通狀態。能夠消除交越失真的OCL電路如圖1所示。


OCL電路

圖(1)消除交越失真的OCL電路


在上圖中,靜態時,從+12V經過R5、R6、D1、D2、R7、R8到GND有一個直流電流,它在Q1和Q2管兩個基極之間所產生的電壓為Ub1b2=UR6+UD1+UD2+UR7,


使Ub1b2略大于Q1管發射結和Q2管發射結開啟電壓之和,從而使兩只管子均處于微導通態,即都有一個微小的基極電流,分別為Ib1和Ib2。調節R6和R7,可使發射極靜態電位Vout為0V,即輸出電壓Vo為0V。


當所加信號Ui按正旋規律變化時,由于二極管D1、D2的動態電阻很小,而且R6和R7的阻值也比較小,因而可以認為Q1管基極電位的變化與Q2管基極電位的近似相等,即Ub1≈Ub2≈Ui。


也就是說,可以認為兩管基極之間電位差基本是一個恒定值,兩個基極的電位隨Ui產生相同變化。


這樣,當Ui》2.5V且逐漸增大時Vbe1逐漸變大,Q1的基極電流Ib1隨之增大,發射極電流Ie1也必然增大,負載電阻RL上得到正方向的電流;與此同時,Ui的增大使Veb2減小,當減小到一定數值時,Q2管截至。


同樣道理,當Vi《2.5v且逐漸減小時, Veb2逐漸增大,Q2的基極電流Ib2隨之增大,發射極電流Ie2必然也會增大,負載電阻RL上得到負方向的電流;與此同時,Ui的減小,使Vbe1減小,當減小到一定數值時,Q1管截至。


這樣,即使Ui很小,總能保證至少有一個晶體三極管導通,因此消除了交越失真。Q1和Q2管在Ui的作用下,其輸入特性的中的圖解分析如下圖所示:


OCL電路

圖(1.1) 輸入特性的中的圖解分析


Q1和Q2靜態工作點以下,輸入信號越大到越小,到Q1截至,Ui無信號,Q1又回到了靜態工作點電流。


輸入信號越小到越大,到Q2截至,Ui很小的時候(無信號),Q2又回到了靜態工作點電流。


綜上所述,輸入信號的正半周主要是Q1管發射極驅動負載,負半周主要是Q2管發射極驅動負載,而且兩管的導通時間都比輸入信號的半個周期要長,即在輸入電壓很小的時候,兩只管子同時導通,因而他們工作在甲乙類狀態。


值得注意的是,若靜態工作點失調,例如R6、D1、D2、R7中的任意一個元器件虛焊,


則從12V經過R5、Q1管的發射結,R9R10,Q2的發射結到R8到GND形成一條通路,有較大的基極電流Ib1和Ib2流過,從而導致Q1和Q2有很大的集電極電流Ic1和Ic2,


且每只管子的最大管壓降VCE都約等于12V,以至于Q1和Q2管可能因為功耗過大而損壞。因此,R9和R10的作用就非常重要了,可以分擔Q1Q2 的VCE的壓降。




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