MOS管參數(shù)中的EAS解析|一看就懂-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-09-24
EAS指的是單脈沖雪崩能量。
在雪崩的時(shí)候，flyback產(chǎn)生的電壓會(huì)超過額定電壓值，因?yàn)檫@個(gè)時(shí)候的break voltage大于額定電壓。
如果電壓過沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過擊穿電壓，則器件不會(huì)發(fā)生雪崩擊穿，因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力。
雪崩擊穿能量標(biāo)定了器件可以容忍的瞬時(shí)過沖電壓的安全值，其依賴于雪崩擊穿需要消散的能量。
定義額定雪崩擊穿能量的器件通常也會(huì)定義額定EAS。額定雪崩擊穿能量與額定UIS具有相似的意義。EAS標(biāo)定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。
L是電感值，iD為電感上流過的電流峰值，其會(huì)突然轉(zhuǎn)換為測(cè)量器件的漏極電流。電感上產(chǎn)生的電壓超過MOSFET擊穿電壓后，將導(dǎo)致雪崩擊穿。
雪崩擊穿發(fā)生時(shí)，即使 MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài)，電感上的電流同樣會(huì)流過MOSFET器件。電感上所儲(chǔ)存的能量與雜散電感上存儲(chǔ)，由MOSFET消散的能量類似。
MOSFET并聯(lián)后，不同器件之間的擊穿電壓很難完全相同。通常情況是：某個(gè)器件率先發(fā)生雪崩擊穿，隨后所有的雪崩擊穿電流(能量)都從該器件流過。
EAS和EAR的定義
EAs單脈沖雪崩擊穿能量,EAs標(biāo)定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。
如果電壓過沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過擊穿電壓，則器件不會(huì)發(fā)生雪崩擊穿，因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力。
雪崩擊穿能量標(biāo)定了器件可以容忍的瞬時(shí)過沖電壓的安全值，其依賴于雪崩擊穿需要消散的能量。
EAR重復(fù)雪崩能量，標(biāo)定了器件所能承受的反復(fù)雪崩擊穿能量。
上圖(a)開關(guān)電源中的雪崩工作波形。在MOSFET截止時(shí)約有300V的沖擊電壓加在漏極和源極之間，并出現(xiàn)振鈴。
上圖(b)對(duì)時(shí)間軸進(jìn)行了放大，由圖可以清楚的看出由于柵極電壓下降，管子截止，ID減小的同時(shí)VDS升高并在295V處VDS電壓波形出現(xiàn)平頂(鉗位)。
這種電壓被鉗位的現(xiàn)象即是雪崩狀態(tài)，所以當(dāng)功率MOSFET發(fā)生雪崩時(shí)，漏源極電壓幅值會(huì)被鉗位至有效擊穿電壓的水平。
圖1所示為開關(guān)電源中典型的雪崩波形。源漏電壓(CH3) 被鉗制在1kV,并能看到經(jīng)整流的電流(CH4)。
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